特許
J-GLOBAL ID：200903068981967720
電圧制御型半導体装置にチャンネル領域層を作るための方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-502817
公開番号（公開出願番号）：特表2000-512808
出願日： 1997年06月18日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：
【要約】電圧制御型半導体装置を作るためにSiC層にチャンネル領域層を作るための方法に於いて、a)多結晶質およびb)非晶質の一つであるシリコンの層1をこのSiC層の上面に付け、前記シリコンの層にこのSiC層へ伸びるアパーチャ4をエッチングし、前記シリコン層のある厚さの表面層を酸化し、および前記チャンネル領域層の横延長部を、前記酸化した層を除去し且つそのようにして作った拡大アパーチャによって露出される区域に更なる注入を行うことによって決める。
請求項（抜粋）：
電圧制御型半導体装置を作るためにSiC層にチャンネル領域層(9)を、その横に対向する側部上の領域(5、2)と反対のドーピング型式のa)pおよびb)nの一つで作るための方法であって:1)このSiC層(2)の上面にa)多結晶質およびb)非晶質の一つであるシリコンの層(1)を付ける工程、2)前記シリコン層にこのSiC層へ伸びるアパーチャ(4)をエッチングする工程、3)前記シリコン層のある厚さの表面層(7)を酸化する工程、4)このSiC層のドーピング型式に対応する、第1ドーピング型式のドーパントを前記シリコン層の上記アパーチャが形成するこのSiC層の区域に、前記区域の下のこのSiC層の第1の表面に近い層(5)に前記第1の型式の高濃度のドーピングを得るために注入する工程、5)エッチングによって上記酸化した表面層(7)を除去し、それによって前記アパーチャを上記酸化した層の厚さだけ増す工程、6)第2ドーパント型式のドーパントを、工程5)によって作るアパーチャ(8)が形成するこのSiC層の区域に、工程4)を実施することによって作った前記表面に近い層(5)のドーピング型式は維持するが、工程5)によって露出した区域の下の第2の表面に近い層(9)のドーピング型式はこの酸化したシリコン層の厚さによって決まる横延長部を備えるチャンネル領域層(9)を作るために変わる程度に注入する工程、を含み、ここでこれらの工程をa)記載した順序およびb)工程3)の前に工程4)を実施することを除いて、記載した順序の一つで実行する方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 F
