特許

J-GLOBAL ID：200903068983929833

半導体レーザのマウント構造

発明者： 鈴木 哲哉 ,  寺田 敏行 ,  藤田 恭久 ,  藤井 智
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-056485
公開番号（公開出願番号）：特開平8-228044
出願日： 1995年02月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザのマウント構造において簡単な構造で高効率な放熱効果を得る。【構成】 ヒートシンク11に固着される平板状の第1のサブマウント6と、その第1のサブマウント6上に載置される半導体レーザチップ10を第2のサブマウント3の異方性エッチングにて形成された凹部1aにより受容しかつ挟持して、第1のサブマウント6と第2のサブマウント3とをはんだ5を融着して互いに固着する。【効果】 動作熱を発半導体レーザチップの両面から放散させることができると共に、半導体レーザチップの両側にヒートシンクを設ける必要がなく、厚さを極力抑えることができ、半導体レーザ素子のコンパクト化を向上し得る。

請求項（抜粋）：

ヒートシンクに固着される平板状の第1のサブマウントと、前記第1のサブマウント上に載置される半導体レーザチップを受容し得る凹部を形成された第2のサブマウントとを有し、前記半導体レーザチップを前記第1のサブマウントと前記第2のサブマウントの前記凹部の底面との間に挟持するように前記第1のサブマウント上に前記第2のサブマウントを固着したことを特徴とする半導体レーザのマウント構造。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 ,  H01L 23/36

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 N ,  H01L 23/36 C