特許

J-GLOBAL ID：200903068988313610

シヨツトキ障壁を有する半導体装置の製造方法

発明者： 大塚 康二 ,  大室 範純 ,  是枝 元
出願人/特許権者： サンケン電気株式会社
代理人 (1件)： 清水 敬一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-230187
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067774
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】バリアハイトΦBの高さを広範囲に且つ安定に制御でき所望の高さのバリアハイトΦBを備えたショットキ障壁を有する半導体装置を製造する方法を提供する。【構成】 Ti薄層4aの蒸着時にその真空度又は蒸着速度を変えることにより、n形領域3とTi薄層4aとAl層5aとの組み合わせによって形成されるショットキ障壁のバリアハイトΦBを制御する。

請求項（抜粋）：

半導体領域との組み合わせによりショットキ障壁を生成できる金属を第1の真空度で前記半導体領域の主面に真空蒸着して第1の電極層を形成する工程と、前記半導体領域との組み合わせによりショットキ障壁を生成できる金属を前記第1の電極層の上に真空蒸着して第2の電極層を形成する工程とを含み、前記半導体領域、前記第1の電極層及び前記第2の電極層との組み合わせにより生成されるショットキ障壁のバリアハイトの高さを前記第1の真空度を調整することにより決定することを特徴とするショットキ障壁を有する半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/48 ,  H01L 29/91

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-022475
  
• 特開昭63-157466
  
• 特開昭54-036178
  
• 特開昭56-029377