特許

J-GLOBAL ID：200903068992186800

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 鈴木 康嗣
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-350192
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168086
出願日： 1999年12月09日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】微細パターンの形状制御性に優れた半導体装置の製造方法および半導体製造装置の提供。【解決手段】一定のタイミング関係でそれぞれの電力が周期的に変化する複数の電磁波を用いてプロセスガスを励起し、励起したプロセスガスを用いて半導体装置基板表面の処理を行う半導体装置の製造方法、および半導体装置基板を保持する保持台と、一定のタイミング関係でそれぞれの電力が周期的に変化する複数の電磁波を用いて励起したプロセスガスを生成するプラズマ源とを有し、励起したプロセスガスを用いて半導体装置基板の表面の処理する半導体製造装置により不必要な生成物をパターン側壁に付着させることを抑制できるため、上記課題を解決する。

請求項（抜粋）：

一定のタイミング関係でそれぞれの電力が周期的に変化する複数の電磁波を用いてプロセスガスを励起し、励起した前記プロセスガスを用いて半導体装置基板表面の処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (2件)：

H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B

Fターム (14件)：

5F004AA02 ,  5F004AA05 ,  5F004AA16 ,  5F004BA16 ,  5F004BB18 ,  5F004CA03 ,  5F004CB02 ,  5F004CB16 ,  5F004DA04 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB15 ,  5F004EA06 ,  5F004EB08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-277370   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開昭60-126835
  
• 特開平3-149815
  
• 特開昭60-126835
  
• 特開平3-149815