特許
J-GLOBAL ID：200903068995410434
自己集合単分子膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-112222
公開番号（公開出願番号）：特開平11-301129
出願日： 1998年04月22日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：
【要約】【課題】 短時間で効率的にかつ確実に自己集合性化合物が均一に配列した自己集合単分子膜が得ることが可能な自己集合単分子膜の形成方法を提供すること。【解決手段】 導電性基材の表面に吸着して自己集合単分子膜を形成することが可能な自己集合性化合物を該基材の表面に供給する化合物供給工程と、前記基材の一端に一方の端子が接続されかつ該基材の他端に他方の端子が接続されている電源を備えた通電装置により、前記自己集合性化合物が前記基材の表面に供給された際に該基材に通電して自己集合単分子膜を形成せしめる通電工程と、を含むことを特徴とする自己集合単分子膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
導電性基材の表面に吸着して自己集合単分子膜を形成することが可能な自己集合性化合物を該基材の表面に供給する化合物供給工程と、前記基材の一端に一方の端子が接続されかつ該基材の他端に他方の端子が接続されている電源を備えた通電装置により、前記自己集合性化合物が前記基材の表面に供給された際に該基材に通電して自己集合単分子膜を形成せしめる通電工程と、を含むことを特徴とする自己集合単分子膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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