特許
J-GLOBAL ID：200903068996851191
半導体露光装置の露光時間設定方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-187287
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036580
出願日： 1991年07月26日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【構成】 アライメント光を基板に照射した際のアライメント光の光強度と、アラインメント光の基板側からの反射光の光強度と、基準レジスト塗布時の反射率に対する最適露光時間の値との関係から最適露光時間を求めるようになっている半導体露光装置の露光時間設定方法。【効果】 下地膜厚、レジスト種及び基板の反射率の変化にも対応することができ非常に高い精度の線幅制御が可能になる。
請求項（抜粋）：
アラインメント光を基板に照射した際のアライメント光の光強度と、アラインメント光の基板側からの反射光の光強度と、基準レジスト塗布時の反射率に対する最適露光時間の値との関係から最適露光時間を求めることを特徴とする半導体露光装置の露光時間設定方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
