特許

J-GLOBAL ID：200903069004811955

プラズマを用いた薄膜形成方法、薄膜製造装置、エッチング方法、及びエッチング装置

発明者： 芦田 純生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-075612
公開番号（公開出願番号）：特開平9-263948
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】より高性能の薄膜を提供し、またはより高性能の薄膜製造または加工装置を提供し、さらにはより高性能の薄膜応用装置を提供することを目的とする。【解決手段】気相化合物に放電プラズマを作用させて膜を堆積あるいは加工を行う装置、および方法であって、放電プラズマを2つ以上の周波数で変調させることを特徴とし、周波数1 が1MHz より小さく1 kHz より大きく、周波数2は周波数1より小さくかつ10 kHzよりも小さいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

成膜原料ガスに電界エネルギーを加えてプラズマ状態にする工程と、このプラズマ状態のガスを被成膜対称物に当ててこの被成膜対称物表面に膜を形成する工程とを有するプラズマを用いた薄膜形成方法において、第1の周波数に第2の周波数で変調した電力で前記放電プラズマを励起することを特徴とするプラズマを用いた薄膜形成方法。

IPC (5件)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 A