特許

J-GLOBAL ID：200903069006953625

多層磁気抵抗効果素子

発明者： 菅原 伸浩 ,  落合 祐子
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-059615
公開番号（公開出願番号）：特開平9-252151
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：

【要約】【課題】 ダイナミックレンジが拡大され、且つ、最適バイアスに設定された多層磁気抵抗効果素子(MR素子)を提供する。【解決手段】 外部磁界に対して磁化のスピン方向が回転する磁化回転層12、非磁性導体層13、磁化のスピン方向が固定された磁化固定層14、反強磁性層15がこの順にあるいはこれとは逆の順に積層されてなるMR素子16において、磁化回転層12における飽和磁化Msf と厚みtf との積Msf tf が7.0×10-4emu/cm2 以上となされ、且つ、磁化固定層14における飽和磁化Msp と厚みtp との積Msp tp が2.5×10-4emu/cm2 以下となされている。なお、磁化固定層14は、Coに比して飽和磁束密度Bsが小さな主磁化固定層35と、これより飽和磁束密度Bsが大きな界面磁化固定層34との積層構造とされる。

請求項（抜粋）：

外部磁界に対して磁化のスピン方向が回転する磁化回転層、非磁性導体層、磁化のスピン方向が固定された磁化固定層、反強磁性層がこの順にあるいはこれとは逆の順に積層されてなる磁気抵抗効果素子において、前記磁化回転層の飽和磁化Msf と該磁化回転層の厚みtf との積Msf tfが7.0×10-4emu/cm2 以上となされ、且つ、前記磁化固定層の飽和磁化Msp と該磁化固定層の厚みtp との積Msp tp が2.5×10-4emu/cm2 以下となされていることを特徴とする多層磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08