特許
J-GLOBAL ID:200903069013960653

カーボン系薄膜の連続製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 日比 紀彦 ,  岸本 瑛之助 ,  渡邊 彰 ,  清末 康子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-285962
公開番号(公開出願番号):特開2007-091556
出願日: 2005年09月30日
公開日(公表日): 2007年04月12日
要約:
【課題】反応器内へ不純物ガス成分やパーティクルが混入する恐れがなく、未反応の原料ガスから副生したタール成分が付着せず、さらに、基板近傍での基板・ガスの温度分布およびガス流れの制御がし易くて均-性の高いカーボン系薄膜の生成が可能であるカーボン系薄膜の連続製造装置を提供する。【解決手段】カーボン系薄膜の連続製造装置は、キャタピラ状のベルトコンベヤ(1) と、コンベヤの一端上側からコンベヤ上に供給される(4) 基板と、コンベヤの上側に長さ中央部から他端円弧部に亘って設けられた基板予熱ゾーン(9) と、コンベヤの下側にその他端部から長さ中央部に亘って設けられたCVD加熱ゾーン(12)と、コンベヤの他端下側に設けられ、かつ予熱ゾーンからCVD加熱ゾーンへのガス流入を防ぐシールガスの流入口(2) と、CVD加熱ゾーンへ原料ガスをキャリアガスによって供給する原料ガス流入口(3) とを具備している。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
キャタピラ状のベルトコンベヤと、コンベヤの一端上側からコンベヤ上に供給される基板と、コンベヤの上側に長さ中央部から他端円弧部に亘って設けられた基板予熱ゾーンと、コンベヤの下側にその他端部から長さ中央部に亘って設けられたCVD加熱ゾーンと、コンベヤの他端下側に設けられ、かつ予熱ゾーンからCVD加熱ゾーンへのガス流入を防ぐシールガスの流入口と、CVD加熱ゾーンへ原料ガスをキャリアガスによって供給する原料ガス流入口とを具備したカーボン系薄膜の連続製造装置。
IPC (2件):
C01B 31/02 ,  C23C 16/26
FI (2件):
C01B31/02 101F ,  C23C16/26
Fターム (25件):
4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G146CA06 ,  4G146DA03 ,  4G146DA22 ,  4G146DA41 ,  4G146DA45 ,  4K030AA09 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BB01 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030GA14 ,  4K030KA45
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 常圧気相成長装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-248169   出願人:九州日本電気株式会社
審査官引用 (6件)
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