特許

J-GLOBAL ID：200903069016018835

超電導素子

発明者： 池川 純夫 ,  三浦 忠男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141878
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069556
出願日： 1993年06月14日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 絶縁層によるショート電流やリーク電流の発生を防止し、かつ超電導層と絶縁層との界面まで超電導の秩序パラメータをよく発達させた、良好なジョセフソン特性が再現性よく得られる超電導素子を提供する。【構成】 下部超電導層2と上部超電導層4との間に中間層3を介在させて構成した超電導素子である。下部超電導層2および上部超電導層4は、銅系酸化物超電導体からなる。中間層3は、例えば [B]AE<SB>2 </SB>(RE1<SB>1-y </SB> RE2<SB>y </SB>)<SB>m+1 </SB>Cu<SB>2 </SB>O <SB>z </SB>(式中、 [B]はブロック層、AEはアルカリ土類元素、 RE1は価数が 3価よりも高いイオンを形成するランタン族元素およびアクチノイド元素から選ばれる少なくとも 1種の元素、 RE2は価数が 3価のイオンを形成するランタン族元素およびイットリウムから選ばれる少なくとも 1種の元素、 m≧2 、 0≦ y< 1、 zは酸素量)で表される多重螢石型ブロックを結晶構造中に含む層状銅系酸化物からなる。

請求項（抜粋）：

銅系酸化物超電導体からなる下部超電導層と、前記下部超電導層上に積層形成され、多重螢石型ブロックを結晶構造中に含む層状銅系酸化物からなる中間層と、前記中間層上に積層形成され、銅系酸化物超電導体からなる上部超電導層とを具備することを特徴とする超電導素子。