特許

J-GLOBAL ID：200903069016356480

窒化アルミニウム回路基板

発明者： 須崎 純一 ,  高城 東一 ,  門田 健二 ,  寺崎 隆一
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336718
公開番号（公開出願番号）：特開平10-178257
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 パワーモジュール用等の発熱の大きい用途に回路基板を用いた場合、ヒートサイクル等により、金属回路上のニッケルメッキの影響で発生する残留応力により、クラックを生じ易い問題があった。本発明はクラック発生の少なく信頼性の高い回路基板を提供する。【解決手段】 窒化アルミニウム基板上に銅等の金属回路が接合形成されており、金属回路の表面にニッケルメッキがされている回路基板であって、該金属回路端部側面のメッキ厚さの最大値が1.5μm以上5μm以下であり、しかも金属回路端部側面のメッキ厚さの最大値と最小値の比を1以上3以下とすることにより耐ヒートサイクル性に優れた窒化アルミニウム回路基板を得る。

請求項（抜粋）：

窒化アルミニウム板上にメッキ層を有する金属回路が設けてなる窒化アルミニウム回路基板であって、該金属回路端部側面のメッキ厚さの最大値が1.5μm以上5μm以下であり、しかも金属回路端部側面のメッキ厚さの最大値と最小値の比が1以上3以下であることを特徴とする窒化アルミニウム回路基板。

IPC (2件)：

H05K 3/24 ,  H05K 1/03 610

FI (2件)：

H05K 3/24 A ,  H05K 1/03 610 E

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-165590
  
• 特開平4-144190