特許

J-GLOBAL ID：200903069017411867

ダイヤモンド状炭素膜およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  林 茂則
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-018049
公開番号（公開出願番号）：特開平10-291895
出願日： 1991年02月14日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】 硬度、透光性等の特性の優れたダイヤモンド状炭素膜を得る。【解決手段】 プラズマCVD法を用いて炭素系気体とシリコン系気体からダイヤモンド状炭素膜を形成することによって、SP3 結合がSP2 結合より多く存在し、硬度、透光性等の特性の優れたダイヤモンド状炭素膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

Siが添加されたダイヤモンド状炭素膜であって、前記ダイヤモンド状炭素膜中の炭素はSP3 結合がSP2 結合より多く存在していることを特徴とするダイヤモンド状炭素膜。

IPC (5件)：

C30B 29/04 ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/04 ,  C23C 16/30 ,  C08L101:00

FI (5件)：

C30B 29/04 P ,  C30B 29/04 R ,  C08J 7/00 306 ,  C08J 7/04 M ,  C23C 16/30

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭62-157602
  
• 特開昭63-011671
  
• 特開平1-245562
  
• 特開昭60-195092