特許

J-GLOBAL ID：200903069019566299

分布帰還型半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 古嶋 裕司
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-245373
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087838
出願日： 1997年09月10日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 電流-光出力特性および温度特性が良好で、かつ、素子設計の自由度に優れた分布帰還型半導体レーザ素子を制御性・再現性良く製造する。【解決手段】 平坦成長によって形成された活性層7と選択成長によって形成された周期的な活性層6とが積層された積層構造を有する分布帰還型半導体レーザ20。

請求項（抜粋）：

平坦成長によって形成された活性層と選択成長によって形成された周期的な活性層とが積層された積層構造を有することを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。