一体集積型半導体構造体とその製造法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：倉内基弘 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-512447
公開番号（公開出願番号）：特表平8-503338
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1996年04月09日
要約：

【要約】ヘテロ構造装置はうね形導波レーザ部(11)と、それに一体に集積した背面ファセットモニタRFM検出部(12)とを有する。基体(10)に直接形成した一体のV溝蝕刻溝が、光学ファイバ(13)をレーザ(11)の活性領域(11-1)に対して非賦活整列を行わせることができる。レーザ及びRFMファセット面は多段階の活性イオン蝕刻法により形成される。

請求項（抜粋）：