低抵抗セラミックス及びその製造方法、並びに半導体製造装置用部材

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043861
公開番号（公開出願番号）：特開2000-247732
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月12日
要約：

【要約】【課題】低抵抗化と低熱膨張とを具備する低抵抗セラミックスを得る。【解決手段】コージェライトを主成分とし、希土類元素を酸化物換算で1〜20重量%の割合で含有する混合粉末、あるいはその成形体を、少なくともカーボンを含み、酸素分圧が0.2気圧以下の還元雰囲気中で焼成するか、またはカーボン粉末中に埋設して焼成して、カーボンを0.01〜2.0重量%の割合で含有する体積固有抵抗が107 Ω・cm以下、10〜40°Cにおける熱膨張係数1×10-6/°C以下、相対密度95%以上の緻密質な低抵抗セラミックスを得ることができ、これを半導体製造装置用部材に適用し、部材の帯電性を抑制し、半導体製造時の帯電による悪影響を防止する。

請求項（抜粋）：

コージェライトを主成分とし、希土類元素を酸化物換算で1〜20重量%、カーボンを0.01〜2.0重量%の割合で含有するとともに、10〜40°Cにおける熱膨張係数1×10-6/°C以下、相対密度95%以上、室温における体積固有抵抗が107 Ω・cm以下であることを特徴とする低抵抗セラミックス。

IPC (3件)：

C04B 35/195 , C09K 3/16 101 , H01L 21/68

FI (3件)：

C04B 35/16 A , C09K 3/16 101 B , H01L 21/68 N

Fターム (20件)：

4G030AA07 , 4G030AA11 , 4G030AA12 , 4G030AA14 , 4G030AA36 , 4G030AA37 , 4G030AA60 , 4G030BA01 , 4G030BA24 , 4G030CA05 , 4G030GA24 , 4G030GA27 , 4G030GA29 , 4G030HA18 , 5F031DA13 , 5F031EA01 , 5F031HA02 , 5F031HA03 , 5F031HA13 , 5F031HA16

引用特許：

審査官引用 (6件)

特公昭61-034205
特開平2-026863
金属酸化物系抵抗体、電力用抵抗体および電力用遮断器
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-161150 出願人：株式会社東芝, 東芝タンガロイ株式会社

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