特許
J-GLOBAL ID：200903069023748997
炭化ケイ素質成形体の純化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶 良之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-050036
公開番号（公開出願番号）：特開平10-245266
出願日： 1997年03月05日
公開日（公表日）： 1998年09月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造用構成部材として好適な炭化ケイ素質成形体の内部の不純物を簡単な方法で且つ成形体自体の強度低下をきたすことなく事前に効率よく除去し、しかも半導体レベルに見合うレベルの程度に純化された炭化ケイ素質成形体を提供する。【解決手段】 表面が炭化ケイ素からなる炭化ケイ素質成形体の表面にCVD法によりSi膜をコーティングした後熱処理して前記成形体の内部の不純物をSi膜の中に拡散吸着させ、この拡散吸着したSi膜全体を乾式又は湿式エッチング法により除去する。
請求項（抜粋）：
表面が炭化ケイ素からなる炭化ケイ素質成形体の表面に、CVD法によりSi膜をコーティングした後熱処理して前記成形体の内部の不純物をSi膜の中に拡散吸着させ、該拡散吸着したSi膜全体を乾式又は湿式エッチング法により除去することを特徴とする炭化ケイ素質成形体の純化方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C04B 35/56 101 X
, C04B 41/80 Z
