特許
J-GLOBAL ID：200903069030469602
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-249311
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090335
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 高集積化されたLSI などの半導体装置で、リード線の数の多い多ピンLSI においても、リード線を高集積化してリード線のためにチップ面積を大きくしなくてもよい小形で安価な半導体装置を提供する。【構成】 半導体チップの辺に沿って電極パッドを複数列形成し、外部に導出されたリード線と連結されたリード線の少なくともインナーリード部を前記電極パッドの列の数と合わせた複数層に形成し、半導体チップの電極パッドとリード線とを連結することによりTAB 方式で形成できるようにした半導体装置。
請求項（抜粋）：
各回路素子が形成された半導体チップの各電極パッドと外部に導出されるリード線とが電気的に接続され、樹脂封止された半導体装置であって、前記電極パッドが前記半導体チップの辺に沿って複数列形成され、前記リード線はキャリヤテープ上に形成され、前記リード線と電気的に連結されている少なくともインナーリード部分の一部が絶縁膜を介して複数層に形成され、前記インナーリードの各先端部分が前記各電極パッド部分に接続されてなる半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 23/50
