特許
J-GLOBAL ID：200903069031050052
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044767
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243213
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における絶縁膜の形成方法の改良に関し、TEOS系の酸化膜の優れたステップカバレージを生かしながら、同時にSiH4 系膜と同等の耐水性・気密性を確保した絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板上に、プラズマCVD法によりテトラエチルオルソシリケート(TEOS)とO2 とを用いて酸化膜を形成する際に、更にNH3 を用いることにより、窒素を含有する酸化膜を形成するように構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、プラズマCVD法によりテトラエチルオルソシリケート(TEOS)とO2 とを用いて酸化膜を形成する際に、更にNH3を用いることにより、窒素を含有する酸化膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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