特許
J-GLOBAL ID：200903069033304361
シリコンウエハ構造体、インクジェット記録ヘッド及びシリコンウエハ構造体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010619
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203186
出願日： 2000年01月19日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 垂直面、水平面及び傾斜面を平滑にする。【解決手段】 水平面及び傾斜面を有するシリコン基板の表面を異方性ドライエッチング法により一様に削り取るに際し、デポジションとエッチングとからなる反応性イオンエッチングのサイクルのエッチング条件を下記で示される条件に設定することを特徴とするシリコンウエハ構造体の製造方法。E1<D1、かつD2<E2、かつD3<E3ここで、D1は垂直面に対するデポジションレート、E1は垂直面に対するエッチングレート、D2は水平面に対するデポジションレート、E2は水平面に対するエッチングレート、D3は傾斜面に対するデポジションレート、E3は傾斜面に対するエッチングレートをそれぞれ示す。
請求項（抜粋）：
水平面、垂直面及び傾斜面を備え、該水平面、垂直面及び傾斜面が実質的に平滑であるシリコンウエハ構造体。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, B41J 2/05
, B41J 2/16
H01L 21/302 J
, B41J 3/04 103 B
, B41J 3/04 103 H
2C057AF93
, 2C057AG05
, 2C057AG09
, 2C057AG12
, 2C057AG30
, 2C057AP02
, 2C057AP12
, 2C057AP32
, 2C057AP34
, 2C057AP53
, 2C057AP56
, 2C057AQ02
, 2C057BA03
, 2C057BA13
, 5F004AA05
, 5F004BA20
, 5F004DB01
, 5F004EA06
, 5F004EA10
, 5F004EB08
, 5F004FA08
