半導体レーザダイオード及びその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-146826
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069599
出願日： 1993年05月26日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体レーザダイオードの電流注入溝を選択的な成長により形成する方法を提供することにある。【構成】半導体基板21上のダブルヘテロ(double hetero)接合構造の活性層24を形成する段階と、活性層上に電流注入溝100を形成するために前記活性層上に電流制限層31を選択的に形成する段階と、および前記電流注入溝100および電流制限層31上に平坦な表面を有するクラッド層を形成する段階と、を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にダブルヘトロ接合構造の活性層を形成する段階と、活性層上に電流注入溝を形成するために前記活性層上に電流制限層を選択的に形成する段階と、前記電流注入溝および電流制限層上に平坦な表面を有するクラッド層を形成する段階とを備えることを特徴とする半導体レーザダイオードの製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-289184
特開昭60-157283
特開平1-268082

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