特許
J-GLOBAL ID：200903069039542507

半導体装置および半導体装置の電位制御方法

発明者：
大金 淳一

大金 淳一 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-287693
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111954
出願日： 1997年10月03日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】 複数の不純物拡散領域を有する半導体装置であって,電源電圧が低い場合でも,所定の不純物拡散領域の電位を短時間で所望の値に制御することが可能な半導体装置および半導体装置の電位制御方法を提供する。【解決手段】 半導体装置としてのフラッシュメモリ1は,Nウェル5の電位を制御するウェル電位制御回路61,および,Pウェル7の電位を制御する電圧発生回路21を備えている。Pウェルの電位を所定値に制御する場合,まず,Pウェルを電気的フローティング状態としてNウェルの電位を制御する。Nウェルの電位変化,および,PウェルとNウェルの間に発生する容量成分によってPウェルの電位は変動する。その後,Pウェルの電位を電圧発生回路によって制御する。
請求項（抜粋）：
第1の不純物拡散領域と;前記第1の不純物拡散領域に接合された第2の不純物拡散領域と;を有する半導体装置において:前記第1の不純物拡散領域の電位を制御することが可能であり,かつ,前記第1の不純物拡散領域を電気的フローティング状態とすることが可能な第1の電位制御回路と;前記第2の不純物拡散領域の電位を制御することが可能な第2の電位制御回路と;を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/115 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3件)：
H01L 27/10 434 ,  G11C 17/00 631 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
出願人引用 (5件)
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