金属シリサイド発光材料およびその製造方法並びにこれを用いた発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：町野毅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-336676
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160157
出願日： 1998年11月27日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】金属シリサイド発光材料およびその製造方法並びにこれを用いた発光素子を提供する。【解決手段】粒径がナノメ-トルオ-ダ-の金属シリサイド半導体粒子であるβ-鉄シリサイド半導体粒子4が、多結晶シリコン3中に粒子状に分散した金属シリサイド発光材料と、スパッタリング、蒸着、または化学気相堆積法(CVD法)により、常温または加熱された基板上に、金属シリサイド半導体粒子であるβ-鉄シリサイドのストイキオメトリ-よりもシリコンリッチになるように鉄とシリコンの混合物か、または鉄とシリコンの混合物、あるいは鉄と、シリコンを少なくとも一回以上繰り返し堆積し、必要に応じて、その後アニ-ルして、金属シリサイド半導体粒子4を析出させる発光材料の製造方法。

請求項（抜粋）：

粒径がナノメ-トルオ-ダ-の金属シリサイド半導体粒子であるβ-鉄シリサイド半導体粒子(4)が、多結晶シリコン(3)中に粒子状に分散したことを特徴とする金属シリサイド発光材料。

IPC (7件)：

C09K 11/59 , C09K 11/60 , C09K 11/66 , C09K 11/67 , C09K 11/68 , H01L 33/00 , H01S 5/30

FI (7件)：

C09K 11/59 , C09K 11/60 , C09K 11/66 , C09K 11/67 , C09K 11/68 , H01L 33/00 A , H01S 3/18

Fターム (20件)：

4H001XA12 , 4H001XA14 , 4H001XA20 , 4H001XA24 , 4H001XA25 , 4H001XA26 , 4H001XA44 , 4H001XA56 , 4H001XA75 , 4H001XA76 , 4H001XA77 , 5F041AA03 , 5F041CA24 , 5F041CA46 , 5F041CA67 , 5F041CA73 , 5F073CA24 , 5F073CB04 , 5F073DA16 , 5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (1件)

特許第3331591号

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