特許
J-GLOBAL ID：200903069045830239
マイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法及び堆積膜作製装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-279045
公開番号（公開出願番号）：特開平6-128748
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1994年05月10日
要約：
【要約】【構成】 低圧下で堆積膜形成用の原料ガスをマイクロ波エネルギーで分解し基板上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法において、内圧50mTorr以下の真空度で、該原料ガスを100%分解するに必要なマイクロ波エネルギーより小さなマイクロ波エネルギーを前記原料ガスに作用させると同様に該マイクロ波エネルギーより大きなrfエネルギーを前記原料ガスに作用させ、かつ、該マイクロ波エネルギーによって前記原料ガスが主に分解される空間と基板の間に導電性金属からなるメッシュを介在させ、かつ、該メッシュにDCバイアス電圧を印加して堆積膜を形成する。【効果】 高速で堆積膜を形成できる。堆積膜の膜厚や特性のムラを低減できる。不要なイオンや電子による堆積膜表面へのダメージを低減し、構造緩和に寄与する有効種を選択的に大面積にわたって均一に供給できる。
請求項（抜粋）：
低圧下で堆積膜形成用の原料ガスをマイクロ波エネルギーで分解し基板上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法において、内圧50mTorr以下の真空度で、該原料ガスを100%分解するに必要なマイクロ波エネルギーより小さなマイクロ波エネルギーを前記原料ガスに作用させると同時に、作用させるマイクロ波エネルギーより大きなrfエネルギーを前記原料ガスに作用させ、かつ、作用させるマイクロ波エネルギーによって前記原料ガスが主に分解される空間と基板との間に導電性金属からなるメッシュを介在させ、かつ、該メッシュにDCバイアス電圧を印加することを特徴とするマイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成方法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 16/52
, H01L 21/205
