特許

J-GLOBAL ID：200903069046101761

レーザダイオード素子

発明者： 田中 宏和
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145210
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343791
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】リッジ状領域の形状を左右非対称にしたり、共振器端面が光軸に対して傾いたりすることなく活性層結晶を無秩序化した、より短い発振波長のレーザダイオードを提供すること。【構成】(100)結晶表面に<011/>方向に平行な均等幅の複数のストライプ溝が穿たれたGaAs結晶の半導体基板上に、基板形状を反映する形状をなすN型クラッド層が形成されていることを特徴とするレーザダイオード素子において、このN型クラッド層と活性層の界面で結晶が無秩序化されており、活性層のバンドギャップが通常の(100)結晶表面上に形成された活性層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とするレーザダイオード素子。

請求項（抜粋）：

(100)結晶表面に<011/>方向に平行な均等幅の複数のストライプ溝が穿たれたGaAs結晶の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された基板形状を反映する形状をなすN型クラッド層と、前記N型クラッド層上に形成されたInx (Gay Al1-y )P1-x の混晶であり、前記N型クラッド層との界面で結晶が無秩序化されており、かつ活性層のバンドギャップが通常の(100)結晶表面上に形成された活性層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする活性層と、前記活性層上に形成されたP型クラッド層と、前記活性層と垂直方向に形成された劈開面からなる互いに平行なレーザ共振器の2つの反射面と 、レーザ光伝搬方向に長軸を有する前記ストライプ溝より幅の広いリッジ状領域と、前記リッジ状領域にレーザ発振を限定するための電流狭窄手段または光導波手段のうちの少なくとも一つと、前記活性層に対して基板に垂直方向の電流を注入する手段とを具備することを特徴とするレーザダイオード素子。