特許
J-GLOBAL ID：200903069052663356
半導体装置における積層構造の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219613
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062906
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：
【要約】【目的】格子整合条件を満たさない異種半導体の積層構造を転位発生等の結晶性劣化を伴うことなく形成すること。【構成】格子定数の異なる半導体11と13の間に中間層として層状化合物14を挿入する。この際、半導体11に表面処理、半導体13の材料として水素化物を使用することにより、ダングリングボンドの終端化を行なう。【効果】各層共、界面にダングリングボンドを持たないため、ダングリングボンドに伴う転位の発生がなく、異種半導体の積層構造を形成できる。
請求項（抜粋）：
格子定数の異なる第一の半導体と第二の半導体からなる積層構造において、両半導体間に層状化合物を挿入し、前記、第二の半導体層形成材料として水素化化合物を用いたことを特徴とする積層構造の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/338
, H01L 29/812
