特許
J-GLOBAL ID：200903069053839849
グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-308978
公開番号（公開出願番号）：特開2002-115072
出願日： 2000年10月10日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 熱CVD装置を、被処理基板のサイズや外形に関係なく、膜厚分布の均一なグラファイトナノファイバー薄膜の形成を可能とするように構成する。【解決手段】 真空チャンバー12内に配設した基板ホルダー121に内設した抵抗加熱式ヒータ(第1加熱手段)121cと、被処理基板Sに対向して該チャンバーの上側に設けた複数本の赤外線ランプ(第2加熱手段)17とを備える。グラファイトナノファイバー薄膜の形成に必要な炭素含有ガスと水素ガスとの導入は、基板Sの高さ位置より下側であって、被処理基板をその外周の近傍で囲繞するように設けられたガス噴射ノズル手段19を介して行う。該真空チャンバー外部のガス源に接続された該ノズル手段はその内部にガス流路191を有すると共に、その上面に、ガス流路に連通する複数のガス噴射口192が列設されている。
請求項（抜粋）：
熱CVD装置において、真空チャンバー内に配設した基板ホルダーに付設した第1加熱手段と、該基板ホルダーに装着される被処理基板に対向して真空チャンバーの上部に設けた第2加熱手段とを備え、第1及び第2の加熱手段で被処理基板全体を均等に加熱しつつ、真空チャンバー内に炭素含有ガスと水素ガスとの混合ガスを導入することで該基板上にグラファイトナノファイバー薄膜を形成するように構成され、混合ガスの導入が、基板ホルダーに装着される被処理基板の高さ位置より下側であって、被処理基板をその外周の近傍で囲繞するように設けられたガス噴射ノズル手段を介して行われ、真空チャンバー外部のガス源に接続されたガス噴出ノズル手段はその内部にガス流路を有すると共に、その上面に、ガス流路に連通する複数のガス噴射口が列設されていることを特徴とする熱CVD装置。
IPC (6件)：
C23C 16/46
, B82B 3/00
, C01B 31/02 101
, C23C 16/26
, C23C 16/455
, D01F 9/133
C23C 16/46
, B82B 3/00
, C01B 31/02 101 F
, C23C 16/26
, C23C 16/455
, D01F 9/133
4G046CA01
, 4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CB08
, 4G046CC06
, 4G046CC09
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030BA27
, 4K030BB12
, 4K030BB14
, 4K030CA06
, 4K030CA17
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030FA10
, 4K030HA04
, 4K030JA02
, 4K030KA22
, 4K030KA24
, 4L037CS04
, 4L037FA02
, 4L037PA03
, 4L037PA06
, 4L037PA19
