半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031700
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240466
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の多層配線の層間結線のためのプラグの製造方法に関し、コンタクトホール内の埋め込み用プラグ膜の沈み込みのないプラグ形成方法を得る。【構成】層間絶縁膜3上に Si3N4膜あるいはα-C膜からなるストッパ膜4を被覆してから、ストッパ膜4と層間絶縁膜3とをレジスト膜5をマスクとしてコンタクトホール6を形成し、Wプラグ膜7をコンタクトホール6内を埋めてストッパ膜4上に被覆する。その後、ストッパ膜4上のWプラグ膜7をエッチバックし、ストッパ膜4を除去して、コンタクトホール6内に沈み込みのないWプラグ膜7を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板或いはその下地絶縁膜(1) 上に下層配線膜(2) を形成する工程と、該下層配線膜(2) を覆って該半導体基板或いはその下地絶縁膜(1) 上に層間絶縁膜(3) を形成する工程と、該層間絶縁膜(3) 上にストッパ膜(4) を被覆する工程と、該ストッパ膜(4) 上にレジスト膜(5) を被覆し、パターニングする工程と、該レジスト膜(5) をマスクとして、該ストッパ膜(4) 及び層間絶縁膜(3) をエッチングして、該下層配線膜(2) に達するコンタクトホール(6) を開口する工程と、該レジスト膜(5) を除去する工程と、該コンタクトホール(6) を埋めて、高融点金属膜或いは非晶質カーボン膜からなるプラグ膜(7) を被覆する工程と、該プラグ膜(7) を該ストッパ膜(4) が露出するまでエッチバックする工程と、該ストッパ膜(4) を除去する工程と、該層間絶縁膜(3) 上に該コンタクトホール(6) 内のプラグ膜(7) とコンタクトして、上層配線膜(8) を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/285 301 , H01L 21/3213

FI (2件)：

H01L 21/90 A , H01L 21/88 C

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