特許

J-GLOBAL ID：200903069067855502

DRAM用キャパシタセル

発明者： 秋山 善一
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129609
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321229
出願日： 1994年05月19日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】 本発明はギガビット世代DRAMの抱える従来の問題を克服することを目的とするものであり、その対策として従来にないキャパシタセル構造を提案し、さらに高誘電率材料である強誘電体薄膜を採用し、その目的を具現化させるものである。【構成】 電荷蓄積機能薄膜と対向電極からなり、該対向電極が前記薄膜に基板と平行な向きに電界方向を印加することができるように配置されていることを特徴とするダイナミックRAM(以下、DRAMという)用キャパシタセル。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積機能薄膜と対向電極からなり、該対向電極が前記薄膜に基板と平行な向きに電界方向を印加することができるように配置されていることを特徴とするダイナミックRAM(以下、DRAMという)用キャパシタセル。

IPC (5件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  C01G 29/00 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C