特許

J-GLOBAL ID：200903069068204840

表面粗さ測定方法

発明者： 吉岡 功
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206670
公開番号（公開出願番号）：特開平5-045145
出願日： 1991年08月19日
公開日（公表日）： 1993年02月23日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板端面部の表面粗さ測定方法に関し,非接触で簡単に測定できる方法を得ることを目的とする。【構成】 半導体基板1の端面部2の表面粗さ測定方法であって,半導体基板1の端面部2に対して, 半導体基板1表面に平行な照射光3を半導体基板1の端面部2の接線方向に照射し, 端面部2の接線を通過した直接光4を第1の光量計5にて,また,端面部2の接線に直角な方向の散乱光6を第2の光量計7にて測定し,照射光3に対する散乱光6の光量の割合より端面部2の凹凸の度合いを測定するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1) の端面部(2) の表面粗さ測定方法であって,該半導体基板(1) の該端面部(2) に対して, 該半導体基板(1) 表面に平行な照射光(3) を該半導体基板(1) の該端面部(2) の接線方向に照射し, 該端面部(2)の接線を通過した直接光(4) を第1の光量計(5) にて,また,該端面部(2) の接線に直角な方向の散乱光(6) を第2の光量計(7) にて測定し,該照射光(3) に対する該散乱光(6) の光量の割合より該端面部(2) の凹凸の度合いを測定することを特徴とする表面粗さ測定方法。

IPC (3件)：

G01B 11/30 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/66