特許

J-GLOBAL ID：200903069068737600

高周波半導体装置

発明者： 瀬下 敏樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090062
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289782
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】 安定性や利得などの高周波特性に優れたフェースダウン実装された高周波半導体装置、特に高利得な高周波増幅器を提供する。【解決手段】 MIM容量やスパイラルインダクタのような受動素子を2つ以上有するMMICがバンプによってフェースダウンでその下の基板に実装された高周波半導体装置において、前記複数の受動素子直下の基板表面上の各領域にそれぞれ独立の金属面が設けられ、かつそれぞれの金属面が基板裏面に設けられたGND電極とビアホールで接続されている事を特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくとも2つの受動素子が集積されたモノリシックマイクロ波半導体集積回路と、前記モノリシックマイクロ波半導体集積回路が据え付けられた基板とからなる高周波半導体装置において、前記モノリシックマイクロ波半導体集積回路は、その表面が前記基板表面と向かい合うように配置され、前記モノリシックマイクロ波半導体集積回路上の各パッドと前記基板表面上の各電極用金属面とがそれぞれバンプによって接続され、且つ、前記モノリシックマイクロ波半導体集積回路上の少なくとも2つの受動素子部直下の前記基板表面上の領域に、前記基板表面上の他の金属面とは接続されていない金属面がそれぞれ形成され、且つ、前記基板表面上の金属面は前記基板の裏面の接地用電極面とビアホールによってそれぞれ接続されていることを特徴とする高周波半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 301 ,  H01L 27/095 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (6件)：

H01L 23/12 301 C ,  H01L 27/04 A ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 E ,  H01L 29/80 E ,  H01L 29/80 U

Fターム (14件)：

5F038AV20 ,  5F038AZ04 ,  5F038BE07 ,  5F038CA02 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102GA01 ,  5F102GA15 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GV03