特許
J-GLOBAL ID：200903069071734469
半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-260134
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306895
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 極微細化及び高集積化が要求される半導体デバイスの製造工程に適するように、エッチング膜のプロファイル形状を改善することができるプラズマエッチング方法を提供する。【解決手段】 複数の供給ガスをプラズマ状態にして、上部に設けたマスクパターンを介した選択的な反応及びイオン衝突によって、ウェーハ上のポリシリコン膜層をエッチングする半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法において、エッチングガスにプラズマ放電によってカルベン(Carbene) 構造の中間体を生成する添加ガスを混合したものを用いて、供給ガスとしてこれを供給し、次に、ポリシリコン膜層14のエッチングを受けるプロファイルの側壁にプラズマ状態で生成される前記中間体の結合体である重合体18を形成させてプラズマエッチングを行った。
請求項（抜粋）：
複数の供給ガスをプラズマ状態にして、上部に形成したマスクパターンを介した選択的な反応とイオン衝突とによってウェーハ上のポリシリコン膜層をエッチングする半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法において、前記供給ガスとして、塩素原子が結合した分子からなるエッチングガスに、プラズマ放電によってカルベン(Carbene) 構造の中間体を生成する添加ガスを混合して供給する段階と、前記ポリシリコン膜層のエッチングされたプロファイルの側壁に、プラズマ状態で生成された前記中間体の結合体である重合体を形成させる段階とを備えることを特徴とする、半導体デバイス製造工程のプラズマエッチング方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
