特許
J-GLOBAL ID：200903069074327546
半導体加速度センサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-154618
公開番号（公開出願番号）：特開平10-002912
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】 可動電極を形成し密封するためにシリコン基板の接合プロセスが別途必要で、製造プロセスが複雑となり、また接合プロセス中に可動電極が破損することがあった。【解決手段】 半導体基板、第一窒化膜、第一ポリシリコン層、第二窒化膜、第二ポリシリコン層、第三窒化膜、第三ポリシリコン層を順に形成し、第一窒化膜、第一ポリシリコン層、第二窒化膜、第二ポリシリコン層、第三窒化膜および第三ポリシリコン層で囲まれ封止された空隙部内に第二ポリシリコン層の一部を可動部として形成した半導体加速度センサ。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された第一絶縁層と、前記第一絶縁層の表面に形成された第一ポリシリコン層と、前記第一ポリシリコン層の表面に形成された第二絶縁層と、前記第二絶縁層の表面に形成された第二ポリシリコン層と、前記第二ポリシリコン層の表面に形成された第三絶縁層と、前記第三絶縁層の表面に形成された第三ポリシリコン層とを備え、前記第一絶縁層、前記第一ポリシリコン層、前記第二絶縁層、前記第二ポリシリコン層、前記第三絶縁層および前記第三ポリシリコン層で囲まれ封止された空隙部内に、前記第二ポリシリコン層の一部が可動部として形成された半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
