特許
J-GLOBAL ID：200903069082587530

大型マスク形成用の磁気中性線放電プラズマ処理装置

発明者：
池田 均

池田 均 について

, 
陳 巍

陳 巍 について

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伊藤 正博

伊藤 正博 について

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林 俊雄

林 俊雄 について


出願人/特許権者：
日本真空技術株式会社

日本真空技術株式会社 について


代理人 (1件)： 八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205154
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036399
出願日： 1998年07月21日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】本発明は、300mm φのウエハー用のO.18μmパターン以下の半導体用のマスク基板をマスク内分布がよくしかも優れたマスクパターン形状をもって効率よく製作できる大型マスク形成用の磁気中性線放電プラズマ処理装置を提供することにある。【解決手段】本大型マスク形成用の磁気中性線放電プラズマ処理装置は、マスク基板の枚葉処理で、NLDプラズマ生成室にて生成されたNLDプラズマをプラズマ生成室と分離したプロセス室内の基板の装着されるバイアス基板電極にバイアスをかけることにより引き込みNLDプラズマの垂直成分エネルギーを利用し、しかもNLD条件を変化させることによって、バイアス基板電極側ヘのプラズマ引き込み状態を基板面内に均一になるよう制御するように構成される。
請求項（抜粋）：
磁気中性線放電プラズマを発生する磁気中性線放電プラズマ生成室と、磁気中性線放電プラズマ生成室に隣接して設けられ、プラズマ生成室内に生成された磁気中性線放電プラズマを引き込むバイアス基板電極を配設したプロセス室と、処理すべきマスク基板をプロセス室内のバイアス基板電極に対して搬入、搬出する基板搬送機構を備えた基板搬送室とを有し、磁気中性線放電プラズマ生成室で発生される磁気中性線放電プラズマを変化させて、バイアス基板電極側ヘのプラズマ引き込み状態を基板表面上で均一になるよう制御する磁気中性線放電プラズマ条件設定手段を設けたことを特徴とする大型マスク形成用の磁気中性線放電プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68
FI (6件)：
H05H 1/46 L ,  H05H 1/46 A ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/302 B
Fターム (46件)：
4K030CA05 ,  4K030EA03 ,  4K030EA11 ,  4K030FA01 ,  4K030GA02 ,  4K030GA12 ,  4K030HA01 ,  4K030JA11 ,  4K030KA12 ,  4K030KA34 ,  4K030KA41 ,  4K030KA46 ,  4K030LA11 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BC06 ,  5F004CA06 ,  5F004CA08 ,  5F004EB07 ,  5F031CA05 ,  5F031CA07 ,  5F031FA14 ,  5F031MA28 ,  5F031MA32 ,  5F031PA18 ,  5F031PA26 ,  5F045AA08 ,  5F045BB01 ,  5F045BB14 ,  5F045DQ14 ,  5F045EB02 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05 ,  5F045EF17 ,  5F045EG06 ,  5F045EH01 ,  5F045EH02 ,  5F045EH06 ,  5F045EH16 ,  5F045EH20 ,  5F045EN02 ,  5F045EN04
引用特許：
審査官引用 (13件)
  • フオトマスク用エッチング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-285940   出願人：大日本印刷株式会社
  • エッチング装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-052420   出願人：日本真空技術株式会社
  • 特開昭63-132432
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