特許

J-GLOBAL ID：200903069084006543

膜形成方法及び形成装置、並びにシリコン系膜、起電力素子及びそれを用いた太陽電池、センサー及び撮像素子

発明者： 近藤 隆治 ,  佐野 政史 ,  松田 高一 ,  東川 誠
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-042459
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316818
出願日： 2001年02月19日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 高い成膜速度で形成可能であるにもかかわらず、良好な膜質、密着性を有する膜の形成が可能なシリコン系膜などの膜形成方法を提供すること。【解決手段】 高周波を用いたプラズマCVD法により基板204上に膜を形成する方法において、前記基板204とアースとの間の電気経路上に、前記基板とは別の材料からなる抵抗成分603を設けて成膜を行うことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

高周波を用いたプラズマCVD法により基板上に膜を形成する方法において、前記基板とアースとの間の電気経路上に、前記基板とは別の材料からなる抵抗成分を設けて成膜を行うことを特徴とする膜形成方法。

IPC (4件)：

C23C 16/24 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

C23C 16/24 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X