特許
J-GLOBAL ID：200903069085086044
半導体の気相成長装置及び方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
鵜沼 辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224554
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088187
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：
【要約】【目的】 気相成長層の膜厚均一性が良好で、一度に多数の気相成長ウエハを形成でき、しかも再現性の高い半導体の気相成長装置及び方法を提供する。【構成】 円板状サセプタ31にウエハ30を並べて回転しながら加熱し、その中心に設けられたガス供給管32から原料ガスを放射状に供給し、気相成長層を形成するパン・ケーキ型気相成長装置において、ガス供給管32を上下方向に動かし噴出孔33の位置を気相成長中に変え、同時に原料ガスの流量も同期して変える。これにより、膜厚均一性が良好で、かつ、その再現性が高いエピタキシャル層を一度に多数形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
サセプタに半導体の基板を並べて加熱し、前記サセプタ中心に設けられたガス供給管から原料ガスを供給し前記基板に気相成長層を形成する半導体の気相成長装置において、前記サセプタ表面と前記ガス供給管の原料ガス噴出孔との距離を変化させる手段を有することを特徴とする半導体の気相成長装置。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 29/06 504
, H01L 31/10
