官能化ヘテロアセン類およびそれから作製された電子デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉田研二 , 石田純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-098064
公開番号（公開出願番号）：特開2007-281474
出願日： 2007年04月04日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：

【課題】安定性がありかつ溶液処理可能でもあり、また周囲酸素によってその性能に悪影響を及ぼさない半導体材料を含む電子デバイスを提供する。【解決手段】式(I)の成分を含む半導体材料を含む電子デバイスである。 (I)(式中、Rはアルキル、アルコキシ、アリール、ヘテロアリールまたは炭化水素を表し、各R1およびR2は独立に、水素(H)、炭化水素、ヘテロ原子含有基またはハロゲンであり、R3およびR4は独立に、炭化水素、ヘテロ原子含有基またはハロゲンであり、xおよびyは基の数を表し、Zはイオウ、酸素、セレン、またはNR’(R’は水素、アルキルまたはアリールである)を表し、nおよびmは反復単位の数を表す。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

式(I)の成分を含む半導体材料を含むことを特徴とする電子デバイス。

IPC (3件)：

H01L 51/30 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (4件)：

H01L29/28 250H , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A , H01L29/28 220A

Fターム (40件)：

5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110BB10 , 5F110BB20 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK32 , 5F110QQ06

引用文献：

審査官引用 (2件)

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