特許

J-GLOBAL ID：200903069088765830

半導体装置の製造方法

発明者： 田中 剛 ,  西岡 泰城
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-178818
公開番号（公開出願番号）：特開平8-055910
出願日： 1994年07月29日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置において信頼性の高い多層配線を形成する。【構成】 基板(1)上に、金属配線(2)を形成した後、ポリイミドの前駆体をスピナーをもちいてコート(3)する。その後所定温度でベーク等処理を行うことにより完全に一体なポリイミド膜を形成する。その後金属配線(4)を形成する。他の態様も開示する。

請求項（抜粋）：

多層配線形成工程が、比誘電率の低い有機物を含有する絶縁膜を多層化して形成する際、前記絶縁膜の前駆体をスピンコートし、前記絶縁膜中にポリマーが形成される温度以下で有機溶媒を蒸発させ、第2の前記絶縁膜の前駆体を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/90 Q

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-177719
  
• 配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-128186   出願人：住友金属工業株式会社