特許
J-GLOBAL ID:200903069091877100
半導体製造装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野河 信太郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-067445
公開番号(公開出願番号):特開平5-275350
出願日: 1992年03月25日
公開日(公表日): 1993年10月22日
要約:
【要約】【構成】 密閉可能なチャンバ内に試料保持装置が配置された半導体製造装置であって、前記試料保持装置と対向する位置に、前記試料保持装置を被覆するようにメッシュ状の電極が配設された半導体製造装置。【効果】 メッシュ状の電極に電圧を印加することにより、SiO2 、SiN等の絶縁性のパーティクルに対しては、静電誘導によるクーロン力によって絶縁性のパーティクルを電極に吸着して集塵することができる。また、Ti、TiN、TiW又はW等の剥離した膜やエッチング時の反応生成物等の導電性のパーティクルに対しては、分極によるクーロン力によって導電性のパーティクルを電極に吸着して集塵することができる。真空中に発生するパーティクルがウェハに付着するのを防止することができ、ウェハのデバイスへの歩留りを飛躍的に向上させることができる。
請求項(抜粋):
密閉可能なチャンバ内に試料保持装置が配置された半導体製造装置であって、前記試料保持装置と対向する位置に、前記試料保持装置を被覆するようにメッシュ状の電極が配設されていることを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件):
H01L 21/205
, C23C 16/48
, H01L 21/203
, H01L 21/302
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