特許
J-GLOBAL ID:200903069097784677

積層セラミックコンデンサの内部電極形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 松田 正道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-084614
公開番号(公開出願番号):特開平6-302469
出願日: 1993年04月12日
公開日(公表日): 1994年10月28日
要約:
【要約】【目的】 積層セラミックコンデンサの内部電極形成方法において、薄膜電極を歩留まり良く形成することを目的とする。【構成】 フィルム1を内部電極のパターンが形成されたマスク2で被い、所定のパターン状に真空系による薄膜形成法により0.1μmの金属薄膜3を形成し、その後、金属薄膜3に所望の厚みまで無電解メッキを行い、内部電極5を形成する。さらに、内部電極5が形成されたフィルム1上にセラミック誘電体層6を形成する、或いは、キャリアフィルム10上にセラミック誘電体層6を形成しておき、それに内部電極5を転写する事により、セラミックグリーンシートを作製し、積層を行う。【効果】 大容量積層セラミックコンデンサを容易に製造できる。
請求項(抜粋):
積層セラミックコンデンサの内部電極を形成する方法において、有機フィルム上に、薄膜形成法により、所定のパターン状に、0.1μm以上0.3μm以下の金属薄膜を形成する工程と、その後、所定の膜厚まで無電解メッキを行う工程とを備え、内部電極となる金属箔を形成することを特徴とする積層セラミックコンデンサの内部電極形成方法。
IPC (3件):
H01G 4/30 311 ,  H01G 1/015 ,  H01G 4/12 364

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