特許

J-GLOBAL ID：200903069101817488

接合が絶縁された集積回路の寄生効果を抑制する方法および装置

発明者： エンリコ・マリア・ラヴァネリ ,  マッシモ・ポッツォーニ ,  ジョルジオ・ペドラッツィーニ ,  ジュリオ・リコッティ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス エッセ エッレ エーレ
代理人 (1件)： 安達 光雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-325473
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173128
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：

【要約】【課題】 接合絶縁集積回路の寄生トランジスタの寄生効果を抑制すること。【解決手段】 第一の導電形(p)の基体(10)、この基体(10)内の第二の導電形(n)の領域(11)と、基体(10)の第一の主要面上の第一の電気接点手段(20,21)と、領域(11)上の第二の電気接点手段(14,14′)と、基体(10)の第二の主要面(10)の接地された第三の電気接点手段(8)とを有する集積回路において、第二の電気接点手段(14,14′)の電位が基準端子の電位から所定の閾値より大きい値だけはずれないかはずれるかにそれぞれ応じて第一の電気接点手段(20,21)を基準端子の電位または第二の電気接点手段(14,14′)の電位に保持する。

請求項（抜粋）：

第一の導電形(p)の半導体材料からなる基体(10)に形成された集積回路における寄生効果を抑制する方法であって、前記基体(10)がその第一の主要面と接合絶縁領域(12,13)とによって境界づけられた第二の導電形(n)の少なくとも一つの領域(11)と、前記第一の主要面上の前記基体との第一の電気接点手段(20,21)と、第二の導電形(n)の領域(11)上の第二の電気接点手段(14,14′)と、前記第一の主要面とは反対側の、前記基体(10)の第二の主要面上に設けられ、集積回路の電圧基準端子(大地)に接続された第三の電気接点手段(8)とを含むものにおいて、前記第二の電気接点手段(14,14′)の電位を監視し、この電位が前記基準端子の電位(接地電位)から所定の閾値より大きい値だけはずれるかどうかを検出し、この検出された電位が前記基準端子の電位(接地電位)から所定の閾値より大きい値だけはずれないかはずれるかにそれぞれ応じて、第一の電気接点手段(20,21)を基準端子の電位(接地電位)または第二の電気接点手段(14,14′)の電位に保持することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-219421
  
• 特開平2-065268
  
• 特開昭63-095723