SiC半導体における酸化膜形成方法およびSiC半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060354
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261095
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】短時間且つ低温で熱酸化膜を形成することができるSiC半導体における酸化膜形成方法、およびSiC半導体装置を提供すること。【解決手段】本発明のSiC半導体における酸化膜形成方法は、4H型のSiC半導体層30に酸化膜40を形成する方法であって、SiC半導体層30の{03-38}面30a、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面に対して熱酸化処理を行うことで、酸化膜40を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

4H型のSiC半導体層に酸化膜を形成する方法であって、前記SiC半導体層の{03-38}面、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面に対して熱酸化処理を行うことで、前記酸化膜を形成することを特徴とするSiC半導体における酸化膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 , H01L 21/283 , H01L 21/76 , H01L 29/872 , H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/283 E , H01L 21/76 M , H01L 21/94 A , H01L 29/48 D , H01L 29/78 301 Q

Fターム (54件)：

4M104AA10 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104CC03 , 4M104EE16 , 4M104FF35 , 4M104GG03 , 4M104GG06 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104HH20 , 4M108AA07 , 4M108AB04 , 4M108AB14 , 4M108AC20 , 4M108AC21 , 4M108AD01 , 4M108AD05 , 4M108AD11 , 4M108AD13 , 4M108AD15 , 5F032AA13 , 5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032CA05 , 5F032CA09 , 5F032CA15 , 5F032CA17 , 5F032CA20 , 5F032DA12 , 5F032DA23 , 5F032DA25 , 5F032DA53 , 5F058BA01 , 5F058BA02 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BF56 , 5F058BF58 , 5F058BF59 , 5F058BF60 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BJ01 , 5F140AA24 , 5F140AA40 , 5F140AB06 , 5F140AB09 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BE07 , 5F140CB01

引用特許：

出願人引用 (7件)

化合物膜の形成方法及び半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-099224 出願人：三洋電機株式会社
炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-310865 出願人：株式会社デンソー
SiCウエハ、SiC半導体デバイス、および、SiCウエハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-127471 出願人：松波弘之, 木本恒暢, 株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 三菱商事株式会社, 住友電気工業株式会社

全件表示

引用文献：

出願人引用 (1件)

High quality 4H-SiC grown on various substrate orientations

前のページに戻る