特許

J-GLOBAL ID：200903069102685291

SiC半導体における酸化膜形成方法およびSiC半導体装置

発明者： 塩見 弘 ,  木本 恒暢 ,  松波 弘之
出願人/特許権者： 株式会社シクスオン ,  関西電力株式会社 ,  住友電気工業株式会社 ,  三菱商事株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-060354
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261095
出願日： 2001年03月05日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 短時間且つ低温で熱酸化膜を形成することができるSiC半導体における酸化膜形成方法、およびSiC半導体装置を提供すること。【解決手段】 本発明のSiC半導体における酸化膜形成方法は、4H型のSiC半導体層30に酸化膜40を形成する方法であって、SiC半導体層30の{03-38}面30a、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面に対して熱酸化処理を行うことで、酸化膜40を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

4H型のSiC半導体層に酸化膜を形成する方法であって、前記SiC半導体層の{03-38}面、またはこの面から10°以内のオフ角を有する面に対して熱酸化処理を行うことで、前記酸化膜を形成することを特徴とするSiC半導体における酸化膜形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/76 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/283 E ,  H01L 21/76 M ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/48 D ,  H01L 29/78 301 Q

Fターム (54件)：

4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  4M108AA07 ,  4M108AB04 ,  4M108AB14 ,  4M108AC20 ,  4M108AC21 ,  4M108AD01 ,  4M108AD05 ,  4M108AD11 ,  4M108AD13 ,  4M108AD15 ,  5F032AA13 ,  5F032AA35 ,  5F032AA45 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA12 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA53 ,  5F058BA01 ,  5F058BA02 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BF56 ,  5F058BF58 ,  5F058BF59 ,  5F058BF60 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140AA40 ,  5F140AB06 ,  5F140AB09 ,  5F140BA02 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD05 ,  5F140BE07 ,  5F140CB01