特許

J-GLOBAL ID：200903069112504082

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 若原 ▲祥▼史 ,  玉置 洋一 ,  池田 隆英
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-122328
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317526
出願日： 1998年05月01日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】【課題】 SOI基板を用いる半導体集積回路装置において、その半導体層と支持基板との間にリーク電流が流れるのを防止する。【解決手段】 SOI基板1Aで構成される半導体チップ1の主面外周に沿って半導体チップ1の内側を取り囲むように深い分離部4A1 (4A)を設け、半導体層と支持基板とを完全に電気的に分離した。

請求項（抜粋）：

支持基板上に絶縁層を介して半導体層を設けて成るSOI基板で構成される半導体チップを有する半導体集積回路装置であって、前記半導体層に、その主面から前記半導体層の途中深さ位置まで達する相対的に浅い分離部と、前記半導体層の主面から絶縁層に達する相対的に深い分離部とを設け、前記深い分離部を前記半導体チップの外周に沿って延在形成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 29/78 621 ,  H01L 27/12 F ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L ,  H01L 27/04 V