特許
J-GLOBAL ID：200903069119299115
薄膜電解効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-249619
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106589
出願日： 1993年10月06日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】本発明は薄膜半導体装置のオフ領域でのリーク電流の発生を防止することを目的とする。【構成】薄膜トランジスタの製造工程において、ソース・ドレイン電極が形成された後、陽極酸化法などを用いて、少なくとも画素透明電極に接続していない電極の表面に絶縁膜を形成する。【効果】本発明によりソース・ドレイン電極は同時に露出することは無くなり、ソース・ドレイン電極間を流れるリーク電流の発生を防止することができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に形成されソース・ドレイン電極がチャネルの形成される半導体層上に配置されると共に前記ソース・ドレイン電極間に絶縁膜の形成された薄膜電解効果トランジスタにおいて、前記ソース電極或いはドレイン電極の表面を覆う前記ソース電極或いはドレイン電極の酸化膜或いは窒化膜を具備することを特徴とする薄膜電解効果トランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 311 S
, H01L 29/78 311 N
