半導体レ-ザ装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-306677
公開番号（公開出願番号）：特開平6-164050
出願日： 1992年11月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】アナログ信号伝送システムに必要な低変調歪みかつ高光出力の半導体レ-ザを実現する。【構成】n型InP基板10表面に周期が240nmの回折格子1を作製する。回折格子1上に規格化結合係数を0.8から1.0に設定する結晶成長を行う。成長する層は以下の通りである。n型InGaAsPガイド層2、InGaAsP活性層3、p型InGaAsPガイド層4、p型InPクラッド層5、InGaAsPキャップ層6。次に端面をへき開で作製した後、前端面に無反射コ-ティング7(反射率1%)、後端面に反射コ-ティング8(反射率90%)を施す。【効果】500MHzと550MHzのサイン波でレ-ザを直接変調した場合、600MHzに現われる3次歪みの強度は信号波に比べ、-80dB以下で、この時の平均光出力は20mWの低変調歪み・高光出力半導体レ-ザを得ることができた。

請求項（抜粋）：

光の伝播する方向に均一な周期の屈折率の摂動を有する分布帰還型半導体レ-ザ装置において、前端面の反射率が1%以下、後端面の反射率が90%以上であり、上記屈折率の摂動の強さを表わす規格化結合係数が0.8から1.0であることを特徴とする半導体レ-ザ装置。

前のページに戻る