特許

J-GLOBAL ID：200903069125332035

光半導体電極、光電変換装置及び光電変換方法

発明者： 今井 彰 ,  廣瀬 英一 ,  佐藤 克洋 ,  小野 好之
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-266495
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093589
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 太陽光を効率的に利用可能でき、光電変換効率、安定性、耐久性等に優れ、安価にかつ容易に製造し得る光半導体電極を提供する。【解決手段】 本発明の光半導体電極は、半導体の表面に溶媒難溶性色素の溶媒可溶性前駆体を吸着させた後、該溶媒難溶性色素の溶媒可溶性前駆体を少なくとも1種の1級アミンと反応させて得られ、半導体の表面に、該溶媒難溶性色素による光電変換層を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体の表面に溶媒難溶性色素の溶媒可溶性前駆体を吸着させた後、該溶媒難溶性色素の溶媒可溶性前駆体を少なくとも1種の1級アミンと反応させて得られ、半導体の表面に、該溶媒難溶性色素による光電変換層を有することを特徴とする光半導体電極。

IPC (3件)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04 ,  C09B 5/62

FI (3件)：

H01M 14/00 P ,  C09B 5/62 ,  H01L 31/04 Z

Fターム (5件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS09 ,  5H032EE16 ,  5H032HH00