特許
J-GLOBAL ID：200903069127858476
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-173192
公開番号（公開出願番号）：特開平10-021693
出願日： 1996年07月03日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】半導体記憶装置の使用環境温度が所定の値に達した時、もしくは使用環境温度と時間から導出される関数の値が所定の値に達した時に、データの再書き込みを行うことにより、データ破壊を防ぐと共に、データの再書き込みの時間間隔を最適化して、再書き込み回数が過大となることによる記憶装置自体の破壊を防止する構造の半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置の使用環境温度を検知する手段と、使用環境温度に曝されている時間を検知する手段と、温度が所定の値に達した時、もしくは温度と時間から導出される関数の値が所定の値に達した時に、データの再書き込みを行ってデータ破壊を防ぐと共に、データの再書き込みの時間間隔を最適化して、再書き込み回数が過大となって記憶装置自体の破壊を防止する手段を備えた半導体記憶装置とする。
請求項（抜粋）：
周囲を絶縁膜で囲まれたフローティングゲートを持つ不揮発性メモリトランジスタを有し、上記フローティングゲート内の電子電荷の多少によって起きる高しきい値電圧状態と低しきい値電圧状態とによってデータを記憶する複数個の不揮発性メモリトランジスタにより構成され、かつ上記不揮発性メモリトランジスタをビットとするメモリマトリックスを有する半導体記憶装置であって、該半導体記憶装置の使用環境温度を検知する手段と、上記使用環境温度に曝されている時間を検知する手段と、上記温度が所定の値に達した時、もしくは温度と時間から導出される関数の値が所定の値に達した時に、データの再書き込みを行ってデータの破壊を防ぐと共に、データの再書き込みの時間間隔を最適化して、再書き込み回数が過大となることによる記憶装置自体の破壊を防止する手段を少なくとも備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 F
, H01L 27/10 434
