特許
J-GLOBAL ID：200903069138438991

電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器

発明者：
村出 正夫

村出 正夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025008
公開番号（公開出願番号）：特開2000-162634
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
要約：
【要約】【課題】 周辺回路内蔵型の液晶装置等の電気光学装置において、画素部を構成する薄膜の有効利用により周辺回路の入出力配線における電気抵抗を低めて、高品質の画像表示を可能にする。【解決手段】 液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層(50)と、TFTアレイ基板(10)にマトリクス状に設けられた画素電極(9a)とを備える。高融点金属からなる第1遮光膜(11a)が、画素スイッチング用TFT(30)、走査線(3a)、容量線(3b)等の下側に形成されている。画像信号線(115)等の周辺配線は、データ線(6a)と同じ金属膜からなる第2配線部と、これに立体的に交差可能な、走査線と同じポリシリコン膜及び遮光膜からなる第1配線部とを含む。
請求項（抜粋）：
基板上に複数の走査線と、複数のデータ線と、前記各走査線と前記各データ線に接続された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタの少なくともチャネル領域を平面的に覆うように配置された導電性の遮光膜と、前記走査線と前記データ線の少なくとも一方に信号を供給するための周辺回路と、前記周辺回路に接続された周辺配線とを備えており、前記周辺配線は、前記遮光膜を形成する第1導電膜を含む第1配線部と、前記薄膜トランジスタ、前記データ線及び前記走査線を構成する複数の薄膜の少なくとも一つの導電膜を含む第2配線部とを有することを特徴とする電気光学装置。
IPC (4件)：
G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786
FI (6件)：
G02F 1/1345 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 619 B
Fターム (93件)：
2H092HA27 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB51 ,  2H092KA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA13 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA29 ,  2H092NA01 ,  2H092NA12 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H092QA07 ,  2H092RA05 ,  5C094AA04 ,  5C094AA09 ,  5C094AA13 ,  5C094AA24 ,  5C094AA53 ,  5C094AA55 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094DB10 ,  5C094EA04 ,  5C094EA10 ,  5C094ED15 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB12 ,  5C094GB10 ,  5F110AA06 ,  5F110AA24 ,  5F110AA26 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE09 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL07 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN26 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110PP27 ,  5F110PP33 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • 表示用半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-337564   出願人：ソニー株式会社

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