特許
J-GLOBAL ID:200903069144079693

ポリイミド系配線基板およびそのエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 米澤 明 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-306807
公開番号(公開出願番号):特開平6-164084
出願日: 1992年11月17日
公開日(公表日): 1994年06月10日
要約:
【要約】【目的】 両面銅箔積層ポリイミドフイルムのポリイミド樹脂フイルムにエッチングにより高精度の孔を形成する。【構成】 両面に銅箔を積層したポリイミドフイルムのポリイミド層をエッチング速度の異なる複数のポリイミドフイルムによって構成し、積層するポリイミド層が3層以上の場合には、外層のポリイミド層のエッチング速度を内層のエッチング速度よりも遅くし、エッチング速度の遅いポリイミド層の面からポリイミド層をアルカリ溶液もしくはヒドラジンでエッチングする。【効果】 サイドエッチングの生じない穴を形成することができる。
請求項(抜粋):
ポリイミド層と導電層を積層したポリイミド系配線基板において、ポリイミド層はエッチング特性の異なる複数の層から形成されていることを特徴とするポリイミド系配線基板。
IPC (2件):
H05K 1/03 ,  H05K 3/00
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開平4-274382
  • 特開平4-033848
  • 特開平4-042594
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