特許

J-GLOBAL ID：200903069145150480

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： 山田 裕康
出願人/特許権者： カシオ計算機株式会社
代理人 (1件)： 杉村 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331177
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163589
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 アモルファスシリコン薄膜を結晶化してなるポリシリコン薄膜の結晶粒径を大きくする。【構成】 絶縁基板1の上面の3つの空洞部5の部分に形成したメタル層を絶縁膜3に形成したエッチング用孔4を介してエッチングすることにより、絶縁基板1と絶縁膜3との間に3つの空洞部5を形成する。次に、絶縁膜3の上面に半導体薄膜(アモルファスシリコン薄膜)7を形成し、エキシマレーザを照射して半導体薄膜7をアニールする。この場合、レーザエネルギを吸収した半導体薄膜7から絶縁基板1への放熱を空洞部5の断熱作用によって抑制することができ、このため一度溶融したシリコンの凝固速度を遅くすることができ、ひいては結晶粒径を大きくすることができる。また、3つの空洞部5間に存在する絶縁膜3によって空洞部5上に存在する絶縁膜3を支持する支持部6が形成され、空洞部5上に存在する絶縁膜3の機械的強度を高めている。

請求項（抜粋）：

下方に断熱用の空洞部が形成された絶縁膜上に活性層となる半導体薄膜を設け、且つ前記空洞部内に前記絶縁膜を支持する支持部を設けたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/76