特許
J-GLOBAL ID：200903069146877155
化合物半導体の単結晶成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147700
公開番号（公開出願番号）：特開平5-194073
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年08月03日
要約：
【要約】【目的】本発明は、シード部から大口径(直径2インチ以上)の単結晶を成長させることができる化合物半導体の単結晶の成長方法を提供することを目的とする。【構成】縦型ルツボ内に化合物半導体原料を装填し、縦型ルツボの底部中央にシードを設置して化合物半導体原料を単結晶化する化合物半導体の単結晶成長方法において、縦型ルツボとして底面がほぼフラットであるルツボを使用し、化合物半導体原料を溶融して融液とし、融液の等温面がシード側から融液側に凸状態となるような温度分布を与え、その状態で成長開始時にシード近傍の化合物半導体原料の温度を急峻に下げてその領域を過冷却状態として、シードからほぼ水平な方向に所望の直径となるまで結晶成長させて融液をルツボ下部から上部に向かって高くなるような温度勾配を保持しつつ固化させて単結晶化させることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
縦型ルツボ内に化合物半導体原料を装填し、前記縦型ルツボの底部中央にシードを設置して化合物半導体原料を単結晶化する化合物半導体の単結晶成長方法において、前記縦型ルツボとして底面がほぼフラットであるルツボを使用し、前記化合物半導体原料を溶融して融液とし、前記融液の等温面が前記シード側から前記融液側に凸状態となるような温度分布を与え、その状態で結晶の成長開始時に前記シード近傍のみの前記化合物半導体原料の温度を急峻に下げてシード近傍のルツボの最下部付近の領域を局所的に過冷却状態として、前記シードから垂直方向には成長させずに、ほぼ水平な方向に所望の直径となるまで結晶成長させて前記融液を前記ルツボ下部から上部に向かって高くなるような温度勾配を保持しつつ固化させて単結晶化させる化合物半導体の単結晶成長方法。
IPC (2件)：
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